区熔法（Float zone，简称Fz法），又称浮区法，即悬浮区熔法。区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。
区熔法单晶生长
不需坩埚，污染小
不受坩埚熔点的限制，可以生长熔点极高的材料：高熔点氧化物单晶、碳化物单晶、难熔金属单晶等。
区熔法又分为两种： 水平区熔法和立式悬浮区熔法。
水平区熔法主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长。将原料放入一长舟之中， 舟应采用不沾污熔体的材料制成， 如石英、氧化镁、 氧化铝、氧化铍、石墨等。舟的头放籽晶。加热可以使用电阻炉，也可使用高频炉。用此法制备单晶时，设备简单，与提纯过程同时进行又可得到纯度很高和杂质分布十分均匀的晶体。但因与舟接触，难免有舟成分的沾污，且不易制得完整性高的大直径单晶。
垂直浮带区熔法主要用于硅，这是由于硅熔体的温度高，化学性能活泼，容易受到异物的玷污，难以找到适合的舟皿，不能采用水平区熔法。
然而硅又具有两个比锗、GaAs 优越的特性：即密度低(2. 33g／cm3和表面张力大(0. 0072N／cm) ，所以，能用无坩埚悬浮区熔法。该法是在气氛或真空的炉室中，利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区，然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托， 悬浮于多晶棒与单晶之间， 故称为悬浮区熔法。这种方法不用坩埚，能避免坩埚污染， 因而可以制备 很纯的单晶和熔点极高的材料（如熔点为 3400℃的钨），也可采用此法进行区熔。大直径硅的区熔是靠内径比硅棒粗的“针眼型”感应线圈实现的。
用于制作电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器等。Fz 单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低 2～3 个数量级，这一方面不会产生由氧形成的施主与沉积物，但其机械强度却不如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产生翘曲和缺陷。在 Fz 单晶中掺入氮可提高其强度。