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反射高能电子衍射仪（RHEED）

RHEED（反射高能电子衍射仪）是观察晶体生长重要的实时监测工具之一。它可以通过非常小的掠射角将能量为10～30KeV的单能电子掠射到晶体表面，通过衍射斑点获得薄膜厚度，组分以及晶体生长机制等重要信息。 因此反射高能电子衍射仪已成为MBE、PLD等系统中监测薄膜表面形貌的一种标准化技术。

反射高能电子衍射仪（RHEED）(图1)
   30KeV电子枪（RDA-004G）电源（RDA-004P）
反射高能电子衍射仪（RHEED）(图2)
   kSA400 12bit 88fps CCD（含控制电脑显示器）

日本R-DEC公司生产的反射高能电子衍射仪，以便于操作者使用的人性化设计，稳定性和耐久性以及拥有高亮度的衍射斑点等特点，得到日本本土及其他国家各研究机构的一致好评和认可。

特点：

  • 可远程控制调节电压，束流强度，聚焦位置以及光束偏转
  • XY轴±5度电子束偏转
  • 高效荧光屏拥有高亮度衍射斑点
  • 电子枪内表面经特殊处理，能实现极低放气率
  • 镍铁高导磁合金磁屏蔽罩（可选）
  • 可搭载差动排气系统用于低真空系统（可选）
  • 负高压电源安全闭锁功能
  • 经久耐用，稳定可靠
  • 符合欧盟RoHS指令
  • kSA400分析软件（可选）

规格：

30KeV 电子枪

型号RDA-004G
电子束径φ90μm
灯丝φ0.1mm 发夹式钨灯丝
控制电极定量偏压
集束线圈空心型电磁线圈
偏向线圈环形电磁线圈
轴向校正灯丝，控制电极
绝缘电压DC30KV
工作压强范围< 10-4Pa～10-9Pa
最大烘烤温度200℃
连接法兰ICF70（外径φ2.75英寸）
外形尺寸φ100 x 401mm
（可加长100mm）

30KeV 电子枪电源

型号RDA-004P
加速电压0～30KV 定电压电源（纹波值≤0.03%）
电子束电流0～160μA
灯丝电源0～2V定电压电源2Amax（纹波电压≤0.05%）
灯丝电流Max. 2A
偏向线圈电源±1A定电流电源±1V（纹波电压≤0.05%）
集束线圈电源±0～1.5A定电流电源0～22V（纹波电压≤0.05%）
输入电压200V, 220V, 230V, 240V
外形尺寸480mm x 199mm x 500mm（可加长100mm）
安全功能安全闭锁装置

反射高能电子衍射仪分析系统（kSA400 Leader in Analytical RHEED and LEED）

kSA400 分析软件是全球专业的RHEED分析系统，适合各种反射高能电子衍射仪和薄膜沉积系统，目前第四代系统结合优质的硬件和功能强大的软件除了可以实时取得分析数据之外，还可实现实时晶格间距，原位应力，实时薄膜沉积速率以及薄膜厚度的解析。为用户提供广泛的RHEED分析信息。

反射高能电子衍射仪（RHEED）(图3)

360KB "RHEED GUN CONTROL OPTION" (pdf)

反射高能电子衍射仪（RHEED）(图4)