>> 硅单晶（Si）

                    晶体结构：

                    diamond

                    生产方法：

                   直接法, 区熔法

                    标准尺寸：

                    Diameter 20-80mm

                    thickness 1mm

                    晶向：

                    (110) and (111)

                    晶向精度：

                    <2°, <1°, <0.5° or <0.1°

                    纯度：

                    as cut, one or two sides polished

                    表面粗糙度：

                    <0.03μm

                    典型分析：

                    99.999%

                    X射线衍射质量吸收系数：

                    CuKa 60.6 (μ/r) / cm²g^-1 MoKa 6.44 (μ/r) / cm²g^-1

                    中子散射距离：

                    0.41543 b/10^-12 cm

                    热中子捕获横截面：

                    0.171 sa / barns

                    密度：

                    2.33 g/cm³

                    熔点：

                    1409.85 °C / 1683 °K

                    沸点：

                    2354.85 °C / 2628 °K

                    摩尔体积：

                    12.06 cm³

                    导热系数：

                    148 [300 K] Wm^-1K^-1

                    热膨胀线系数：

                    4.2 x 10^-6 K^-1

                    电阻系数：

                    0.001x10-8 [273 K] Wm

                    聚磁敏感性：

                    -1.8 x 10^-9(s) kg^-1m³

                    杨氏模量：

                    113 GPa

                    刚性模量：

                    39.7 GPa

                    体积模量：

                    n.a. GPa

                    泊松比：

                    0.42 GPa

                    半径：

                    Si4+ 26; Si4- 271 atomic 117; covalent 117; van der Waals 200

                    负电性：

                    1.90 (Pauling); 1.74 (Allred); 4.77 eV (absolute)

                    有效核电荷：

                    4.15 (Slater); 4.29 (Clementi); 4.48 (Froese-Fischer)

                    同位素：

                    11

                    同位素质量范围：

                    24 -> 34