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>> 硅晶圆/衬底

化学式Si
 
晶体生长
生长方法直接法,区熔法
最高直径(英寸)Ø4”
生长方向[100], [111]
 
晶体性质
晶体结构立方体
晶格常数(nm)a = 0.543095
 
物理性质
颜色金属色
熔点(K)1690
热膨胀(10-6 K-12.3
介电常数20
Thermal Conductivity (W/mk)147
Band Gap (eV at 273K)1.106
硬度(莫氏)7