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>> 锗晶圆/衬底

可通过直拉法（Czochralsk）或区熔法（Floating-Zone）生长锗单晶衬底。

化学式	Ge

晶体生长
生长方法	直拉法或区熔法

晶体性质
晶体结构	立方体
晶格常数（nm）	a = 0.56735

物理性质
颜色	金属色
密度（g / cm³）	5.32
熔点（K）	1210
热膨胀（10^-6 K^-1）	5.75
导热系数（VV / mK）	58.8
带隙（eV为273K）	0.67

产品中心 Product

□ 薄膜生长系统
- ○ 脉冲激光沉积系统
- ○ 激光分子束外延
- ○ 磁控溅射系统
□ 部件
- ○ 反射高能电子衍射仪
- ○ 真空标准件
□ 耗材
- ○ 晶体
- ○ 晶圆衬底
- ○ 蒸发材料
- ○ 靶材
□ 实验室服务
- ○ 设备维护
- ○ 设备升级改造
- ○ 设备操作培训